以碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰為**的高性能半導體晶體廣泛應用于信息傳輸、光存儲、光通訊、微波、LED、汽車電子、航空航天、高速列車、智能電網和超高壓輸變電、石油勘探、雷達與通信等國民經濟和**領域。碳化硅單晶材料是目前發展**為成熟的第三代半導體材料，其禁帶寬度是硅的3倍，飽和電子漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿電場大于硅的10倍或砷化鎵的5倍，熱導率是藍寶石的20倍或砷化鎵的10倍，化學穩定性好，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應用領域和航天**、核能等極端環境應用有著不可替代的優勢。 碳化硅是發展第3代半導體產業的關鍵基礎材料。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底

碳化硅sic的光學性質  材料帶隙即禁帶的大小決定了器件的很多性質，包括光譜響應特性、抗輻射特性、工作溫度以及擊穿電壓等許多器件的重要特性。SiC的禁帶寬，如4H-SiC是3.2eV，6H-SiC是2.8eV，所以SiC具有良好的紫外光譜響應特性，對紅外輻射不響應，抗輻射特性好，可應用于檢測紅熱背景下的微弱紫外信號。而且其暗電流很低，工作溫度高，故也可用于探測高溫環境中的紫外信號。  SiC在很寬的光譜范圍（2.2～3.2eV）內也有良好的發光特性。不過，SiC的光學特性與晶體取向及同質多型體的結構有很密切的關系。天津4寸n型碳化硅襯底6H-SiC結構**為穩定，適用于制造光電子器件。

    隨著電力電子變換系統對于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會是越來越合適的半導體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應用，SiC器件是實現其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對于Si的一些獨特性，對于SiC技術的研究，可以追溯到上世界70年代。簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢:擊穿電壓強度高（10倍于Si）更寬的能帶隙（3倍于Si）熱導率高（3倍于Si）這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。當然，這些特性也使得大規模生產面臨一些障礙，直到2000年初單晶SiC晶片出現才開始逐步量產。目前標準的是4英寸晶片，但是接下來6英寸晶片也要誕生，這會導致成本有顯著的下降。而相比之下，當今12英寸的Si晶片已經很普遍，如果預測沒有問題的話，接下來4到5年的時間18英寸的Si晶片也會出現。

碳化硅（SIC）是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5～10年將會快速發展和有***成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據數據顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在，且發展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業還會進一步向前發展。用戶正在嘗試碳化硅技術，以應用于具體且具有發展前景的項目。碳化硅作為新興的戰略先導產業，它是發展第3代半導體產業的關鍵基礎材料。

碳化硅（SiC）半導體器件在航空、航天探測、核能開發、衛星、石油和地熱鉆井勘探、汽車發動機等高溫（350～500oC）和抗輻射領域具有重要應用；          高頻、高功率的碳化硅（SiC）器件在雷達、通信和廣播電視領域具有重要的應用前景；（目前航天和**下屬的四家院所已有兩家開始使用，訂貨1億/年，另兩家還在進行測試，在航天宇航碳化硅器件是不可取代的，可以抵御太空中強大的射線輻射及巨大的差，在核戰或強電磁干擾作用的時候，碳化硅電子器件的耐受能力遠遠強于硅基器件，雷達、通信方面有重要作用碳化硅半導體是新一代寬禁帶半導體。山東6寸sic碳化硅襯底

碳化硅（指半絕緣型）是射頻微波器件的理想襯底材料。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底

隨著我國經濟社會邁入新時代，化工行業在增強供給、**供給和高質量供給上持續發力，也將面臨如何努力正確探索平穩健康運行和高質量發展的新機遇。世界各國對環境保護和綠色發展的重視程度日益提升，出臺了很多環境方面的政策、法規，同時環境執法力度也在逐步提高，化工私營有限責任公司企業需要積極探索綠色低碳、安全環保的技術，加強與信息化技術融合，盡可能地發展環保型產品，實現清潔生產，并在節約能源和資源方面，采用工藝技術，降低原材料消耗；配備廢水、廢氣、廢固處理設備，極大限度地降低三廢排放量，增加節水措施，提高水的重復利用率等。可以說，“綠色化工”已經成為行業發展潮流。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液領域市場前景好，發展成長性好，技術含量高，具有帶領行業發展的作用。是發展戰略性新興產業的重要基礎，也是傳統石化和化工產業轉型升級和發展的重要方向。通過貿易型的優化和升級，化工行業已經從初期的以“三廢治理”為主，發展為包括環保產品、環境服務、潔凈產品、廢物循環利用，跨行業、跨地區，產業門類基本齊全的產業體系。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底

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