20世紀初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發(fā)。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩(wěn)定，并且那時大多數(shù)的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上。二極管的體積小、重量輕，便于集成和安裝。肇慶半導體二極管加工

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區(qū)域被注入空穴，P型區(qū)域被注入電子，兩個區(qū)域內的主要載流子都變?yōu)椴蛔悖虼私Y合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節(jié)請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態(tài)，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續(xù)增加時，還會發(fā)生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發(fā)生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現(xiàn)象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為 擊穿區(qū) （ 崩潰區(qū) ）。在擊穿區(qū)內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個區(qū)域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。惠州晶體二極管哪家好二極管的優(yōu)勢在于簡單、廉價、可靠、快速，適用于各種電子電路中。

對單顆LED 的驅動，此電路通過單片機I/O 口直接驅動LED。當I/O 口輸出高電平時，LED 兩端等電位，無電流，LED 熄滅；當I/O 口輸出低電平時，電流從電源經R1、LED1、I/O 口流進單片機，LED 亮。LED 的亮度與流經它的電流大小成正比，而電流大小由R1 阻值決定。此驅動方式可稱為灌電流驅動。此電路通過單片機I/O 口直接驅動LED。當I/O 口輸出低電平時，LED 兩端等電位，無電流，LED 熄滅；當I/O 口輸出高電平時，電流從單片機I/O 經R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度與流經它的電流大小成正比，而電流大小由R2 阻值決定。此驅動方式可稱為拉電流驅動。

整流二極管： 將交流電源整流成為直流電流的二極管叫作整流二極管。檢波二極管： 檢波二極管是用于把迭加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。開關二極管： 在脈沖數(shù)字電路中，用于接通和關斷電路的二極管叫開關二極管，它的特點是反向恢復時間短，能滿足高頻和超高頻應用的需要。穩(wěn)壓二極管： 穩(wěn)壓二極管是由硅材料制成的面結合型晶體二極管，它是利用PN結反向擊穿時的電壓基本上不隨電流的變化而變化的特點，來達到穩(wěn)壓的目的，因為它能在電路中起穩(wěn)壓作用，故稱為、穩(wěn)壓二極管（簡稱穩(wěn)壓管）。溫度對二極管的特性有影響，需考慮溫漂移。

快恢復二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡稱FRD，是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。快恢復二極管的外形和普通二極管相同，原理圖和PCB庫的參照整流二極管。. 在電源管理中，穩(wěn)壓二極管可提供穩(wěn)定的電壓輸出。惠州晶體二極管哪家好

二極管于PN結的半導體材構成，通過控制電場分布實現(xiàn)流的單向導通。肇慶半導體二極管加工

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產生的光是帶寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結，P區(qū)空穴、N區(qū)電子大量發(fā)生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現(xiàn)在一定偏置范圍內正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現(xiàn)象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。肇慶半導體二極管加工