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福建3微米光刻膠國產廠家

來源: 發布時間:2025-05-17

定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區域溶解)相比,其優勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。

化學組成與工作原理

 主要成分

? 樹脂(成膜劑):

? 傳統正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。

? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發生器(PAG),通過酸催化反應提高感光度和分辨率。

? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。

? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩定劑(防止暗反應)、堿溶解度調節劑等。

 工作原理

? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。

? 曝光時:

? 傳統PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發生光分解,生成羧酸,使曝光區域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。

? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產生活性酸,催化樹脂發生脫保護反應,大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。

? 顯影后:曝光區域溶解去除,未曝光區域保留,形成正性圖案。
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 感光機制

? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯反應固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。

? SBQ型(單液型):預混光敏劑,無需調配,感光度高(曝光時間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。

? 環保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實現12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達2μm,符合歐盟REACH標準。

 功能細分

? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。

? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強,適合紡織品水性漿料。

? 厚版型:如德國K?ppen厚版膠,單次涂布可達50μm,用于立體印刷。


典型應用場景:

? PCB制造:使用360目尼龍網+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長),實現0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。

? 紡織印花:圓網制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。

? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
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廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導體全材料領域,形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料,為客戶提供一站式采購服務。

市場與榮譽:
  • 產品遠銷全球 50 多個地區,客戶包括電子制造服務商(EMS)及半導體廠商。
  • 獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”,并通過技術企業認證。
  • 生產基地配備自動化設備,年產能超千噸,滿足大規模訂單需求。
未來展望:
公司計劃進一步擴大研發中心規模,聚焦第三代半導體材料研發,如 GaN、SiC 相關光刻膠技術。同時,深化全球化布局,在東南亞、歐洲等地設立分支機構,強化本地化服務能力。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。

厚板光刻膠 JT - 3006:具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。需保存在干燥區域并密封,使用前要閱讀參考技術資料。適用于厚板的光刻加工,在對精度、感光度和抗蝕刻要求高的生產場景中發揮作用,如特定的電路板制造領域。

水油光刻膠 SR - 3303:適用于光學儀器、太陽能電池等領域的光刻工藝。品質保障、性能穩定的特點,由工廠研發且支持定制,工廠直銷。 納米壓印光刻膠哪家強?吉田半導體附著力提升 30%!

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 企業定位與資質

? 成立背景:深耕半導體材料行業23年,位于松山湖經濟技術開發區,注冊資本2000萬元,是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業及廣東省創新型中小企業。

? 質量體系:通過ISO9001:2008認證,嚴格執行8S現場管理,原材料源自美國、德國、日本等國,確保產品穩定性。

? 市場布局:產品遠銷全球,與世界500強企業及多家電子加工企業建立長期合作關系,覆蓋集成電路、顯示面板、先進封裝等領域。


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 企業優勢

? 研發能力:擁有多項專利證書,自主研發芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產品,配備全自動化生產設備,具備從材料合成到成品制造的全流程能力。

? 產能與品控:采用進口原材料和嚴格制程管控,確保金屬雜質含量低于行業標準(如半導體光刻膠金屬雜質<5ppb),良率達99%以上。

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作為中國半導體材料領域的企業,吉田半導體材料有限公司始終以自研自產為戰略,通過 23 年技術沉淀與持續創新,成功突破多項 “卡脖子” 技術,構建起從原材料到成品的全鏈條國產化能力。其自主研發的光刻膠產品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領域,為國內半導體產業鏈自主化提供關鍵支撐。
吉田半導體依托自主研發中心產學研合作,在光刻膠領域實現多項技術突破:
  • YK-300 正性光刻膠:分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于 45nm 及以上制程,良率達 98% 以上,成本較進口產品降低 40%,已通過中芯國際量產驗證。
  • SU-3 負性光刻膠:支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,成功應用于高通 5G 基帶芯片封裝,良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠:突破 250℃耐高溫極限,圖形保真度 > 95%,性能對標德國 MicroResist 系列,已應用于國產 EUV 光刻機前道工藝。
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