南京正性光刻膠感光膠

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2025-06-20

晶圓制造（前道工藝）

? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。

? 細(xì)分場(chǎng)景：

? 邏輯/存儲(chǔ)芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒(méi)式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標(biāo)7nm以下，研發(fā)中）。

? 功率半導(dǎo)體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器：通過(guò)高深寬比光刻膠（如SU-8）實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)（如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁）。

芯片封裝（后道工藝）

? 先進(jìn)封裝技術(shù)：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點(diǎn)（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開(kāi)口（直徑5-50μm）。

吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力。南京正性光刻膠感光膠

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破

全流程自主化能力

吉田在光刻膠研發(fā)中實(shí)現(xiàn)了從樹(shù)脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的樹(shù)脂體系，實(shí)現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域。

技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，掌握光刻膠主要原材料（如樹(shù)脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)。

細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)

? 納米壓印光刻膠：在納米級(jí)圖案化領(lǐng)域（如量子點(diǎn)顯示、生物芯片）實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，分辨率達(dá)3μm，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空缺。

? LCD光刻膠：針對(duì)顯示面板行業(yè)需求，開(kāi)發(fā)出高感光度、高對(duì)比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)。

研發(fā)投入與合作

公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認(rèn)證，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體光刻膠，計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)。

無(wú)錫光刻膠報(bào)價(jià)半導(dǎo)體材料選吉田，歐盟認(rèn)證，支持定制化解決方案!

公司嚴(yán)格執(zhí)行 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系與 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)工藝革新與設(shè)備升級(jí)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程的低污染、低能耗。注塑廢氣、噴涂廢氣經(jīng)多級(jí)凈化處理后達(dá)標(biāo)排放，生活污水經(jīng)預(yù)處理后納入市政管網(wǎng)，冷卻水循環(huán)利用率達(dá) 100%。危險(xiǎn)廢物（如廢機(jī)油、含油抹布）均委托專業(yè)機(jī)構(gòu)安全處置，一般工業(yè)固廢（如邊角料、廢包裝材料）則通過(guò)回收或再生利用實(shí)現(xiàn)資源循環(huán)。

公司持續(xù)研發(fā)環(huán)保型材料，例如開(kāi)發(fā)水性感光膠替代傳統(tǒng)油性產(chǎn)品，降低有機(jī)溶劑使用量；優(yōu)化錫膏助焊劑配方，減少焊接過(guò)程中的煙霧與異味。此外，其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù)，在提升焊接效率的同時(shí)降低能源消耗。通過(guò)與科研機(jī)構(gòu)合作，公司還在探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用，為行業(yè)低碳發(fā)展提供新路徑。

公司遵循國(guó)際質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò) ISO9001:2008 認(rèn)證，并在生產(chǎn)過(guò)程中執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理，從原料入庫(kù)到成品出庫(kù)實(shí)現(xiàn)全流程監(jiān)控。以錫膏產(chǎn)品為例，其無(wú)鹵無(wú)鉛配方符合環(huán)保要求，同時(shí)具備低飛濺、高潤(rùn)濕性等特點(diǎn)，適用于電子產(chǎn)品組裝。此外，公司建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)室，配備先進(jìn)檢測(cè)設(shè)備，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際同類水平。

憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對(duì)特殊場(chǎng)景開(kāi)發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時(shí)，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣泛應(yīng)用于印刷電路板制造。

松山湖半導(dǎo)體材料廠家吉田，全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!

作為東莞松山湖的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年，成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達(dá) 98% 以上，已通過(guò)中芯國(guó)際等晶圓廠驗(yàn)證；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性，適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動(dòng)化生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品通過(guò) ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，遠(yuǎn)銷全球并與跨國(guó)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作，加速國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。吉田半導(dǎo)體強(qiáng)化研發(fā)，布局下一代光刻技術(shù)。廈門光刻膠供應(yīng)商

吉田半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐。南京正性光刻膠感光膠

研發(fā)投入的“高門檻”

一款KrF光刻膠的研發(fā)費(fèi)用約2億元，而國(guó)際巨頭年研發(fā)投入超10億美元。國(guó)內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)營(yíng)收只5.4億元，研發(fā)投入占比不足15%，難以支撐長(zhǎng)期技術(shù)攻關(guān)。

2. 價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)的“雙重?cái)D壓”

國(guó)內(nèi)PCB光刻膠價(jià)格較國(guó)際低30%，但半導(dǎo)體光刻膠因性能差距，價(jià)格為進(jìn)口產(chǎn)品的70%，而成本卻高出20%。例如，國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠售價(jià)約150萬(wàn)元/噸，而日本同類產(chǎn)品為120萬(wàn)元/噸，且性能更優(yōu)。

突破路徑與未來(lái)展望

原材料國(guó)產(chǎn)化攻堅(jiān)：聚焦樹(shù)脂單體合成、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，推動(dòng)八億時(shí)空、怡達(dá)股份等企業(yè)實(shí)現(xiàn)百噸級(jí)量產(chǎn)。

技術(shù)路線創(chuàng)新：探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向，華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬原型驗(yàn)證。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新：借鑒“TSMC-供應(yīng)商”模式，推動(dòng)晶圓廠與光刻膠企業(yè)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，縮短認(rèn)證周期。

政策與資本雙輪驅(qū)動(dòng)：依托國(guó)家大基金三期，對(duì)通過(guò)驗(yàn)證的企業(yè)給予設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼（30%），并設(shè)立專項(xiàng)基金支持EUV光刻膠研發(fā)。

南京正性光刻膠感光膠

標(biāo)簽：光刻膠錫膏錫片

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