國家戰(zhàn)略支持
《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》將光刻膠列為重點投資領(lǐng)域,計劃投入超500億元支持研發(fā)。工信部對通過驗證的企業(yè)給予稅收減免和設(shè)備采購補貼,單家企業(yè)比較高補貼可達研發(fā)投入的30%。
地方產(chǎn)業(yè)協(xié)同
濟南設(shè)立寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專項基金,深圳國際半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)展覽會(2025年4月)吸引全球300余家企業(yè)參展,推動技術(shù)交流。
資本助力產(chǎn)能擴張
恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元,擴大KrF光刻膠產(chǎn)能并布局集成電路前驅(qū)體項目。彤程新材半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)2024年上半年營收增長54.43%,ArF光刻膠開始形成銷售。
環(huán)境溫濕度波動可能導(dǎo)致光刻膠圖形形變,需在潔凈室中嚴格控制。惠州阻焊油墨光刻膠多少錢
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借 23 年技術(shù)沉淀,已成為國內(nèi)光刻膠行業(yè)的企業(yè)。公司產(chǎn)品線覆蓋正性、負性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠,廣泛應(yīng)用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領(lǐng)域。
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技術(shù):自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品具備高分辨率(如 JT-3001 厚板光刻膠)、高感光度(如 JT-1000 負性光刻膠)及抗深蝕刻性能,部分指標達到水平。
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嚴苛品控:生產(chǎn)過程嚴格遵循 ISO9001 體系,材料進口率 100%,并通過 8S 現(xiàn)場管理確保制程穩(wěn)定性。
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定制化服務(wù):支持客戶需求定制,例如為特殊工藝開發(fā)光刻膠,滿足多樣化場景需求。
公司位于松山湖開發(fā)區(qū),依托產(chǎn)業(yè)園區(qū)資源,持續(xù)加大研發(fā),與科研機構(gòu)合作推動技術(shù)升級。目前,吉田半導(dǎo)體已服務(wù)全球數(shù)千家客戶,以 “匠心品質(zhì)、售后無憂” 的理念贏得市場口碑。
陜西油墨光刻膠國產(chǎn)廠家不同制程對光刻膠的性能要求各異,需根據(jù)工藝需求精確選擇。
吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國際、長江存儲,支持國產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
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新能源領(lǐng)域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應(yīng)用于寧德時代儲能系統(tǒng),年供貨量超 500 噸。
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研發(fā)投入:年研發(fā)費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術(shù)發(fā)明二等獎”。
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產(chǎn)能規(guī)模:光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質(zhì)量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達 99.5%。
吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破,目標在 2027 年前實現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時,深化國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同,構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標準,吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎,走出了一條中國半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產(chǎn)品與技術(shù),助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺階。
作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導(dǎo)體材料解決方案。
公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構(gòu)認證,不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中,公司通過優(yōu)化原料配比,減少揮發(fā)性有機物(VOCs)排放,確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)。
根據(jù)曝光光源的不同,光刻膠可分為紫外光刻膠(UV)、深紫外光刻膠(DUV)和極紫外光刻膠(EUV)。
先進制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動7nm及以下制程的國產(chǎn)化進程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機禁運的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。
EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學團隊開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲備奠定基礎(chǔ)。
新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學團隊開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機晶體管,實現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。
光刻膠的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。廈門激光光刻膠國產(chǎn)廠商
光刻膠的質(zhì)量直接影響芯片良率,其研發(fā)始終是行業(yè)技術(shù)焦點。惠州阻焊油墨光刻膠多少錢
主要應(yīng)用場景
印刷電路板(PCB):
? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。
? 阻焊層:作為絕緣保護層,覆蓋非焊盤區(qū)域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應(yīng)用。
微機電系統(tǒng)(MEMS):
? 深硅蝕刻(DRIE):負性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達100μm以上,耐SF?等強腐蝕性氣體,用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)(深寬比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負性膠的厚膠成型能力。
平板顯示(LCD):
? 彩色濾光片(CF)基板預(yù)處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導(dǎo)體與分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻:負性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
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