廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導體全材料領域,形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料,為客戶提供一站式采購服務。
市場與榮譽:
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產品遠銷全球 50 多個地區,客戶包括電子制造服務商(EMS)及半導體廠商。
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獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”,并通過技術企業認證。
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生產基地配備自動化設備,年產能超千噸,滿足大規模訂單需求。
未來展望:
公司計劃進一步擴大研發中心規模,聚焦第三代半導體材料研發,如 GaN、SiC 相關光刻膠技術。同時,深化全球化布局,在東南亞、歐洲等地設立分支機構,強化本地化服務能力。
光刻膠的線邊緣粗糙度(LER)是影響芯片性能的關鍵因素之一。深圳正性光刻膠生產廠家
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
正性光刻膠
山西厚膜光刻膠品牌光刻膠的關鍵應用領域。
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LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
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半導體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。
技術優勢:23年研發沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,實現了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發經驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現技術突破,分辨率達3μm,填補國內空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業需求,開發出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證,與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
技術研發:從配方到工藝的經驗壁壘
配方設計的“黑箱效應”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合,需通過數萬次實驗優化。例如,ArF光刻膠需在193nm波長下實現0.1μm分辨率,其光酸產率、熱穩定性等參數需精確匹配光刻機性能。日本企業通過數十年積累形成的配方數據庫,國內企業短期內難以突破。
工藝控制的極限挑戰
光刻膠生產需在百級超凈車間進行,金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內企業在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術短板,導致產品批次一致性差。例如,恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產線驗證,但量產良率較日本同類型產品低約15%。
EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作,傳統有機光刻膠因吸收效率低、熱穩定性差面臨淘汰。國內企業如久日新材雖開發出EUV光致產酸劑,但金屬氧化物基光刻膠(如氧化鋅)的納米顆粒分散技術尚未突破,導致分辨率只達10nm,而國際水平已實現5nm。
負性光刻膠曝光后形成不溶結構,適用于平板顯示等對厚度要求較高的場景。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
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負性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,如半導體器件制造。
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耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,如特殊環境下的半導體加工或電路板制造。
光刻膠的質量直接影響芯片良率,其研發始終是行業技術焦點。蘇州進口光刻膠國產廠商
顯示面板制造中,光刻膠用于LCD彩膜(Color Filter)和OLED像素隔離層的圖案化。深圳正性光刻膠生產廠家
應用場景
半導體集成電路(IC)制造:
? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化(如10nm節點線寬只有100nm)。
? 存儲芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結構中,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1)。
平板顯示(LCD/OLED):
? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),要求高透光率和邊緣銳利度(線寬5-10μm)。
? OLED電極:在柔性基板上形成微米級透明電極,需低應力膠膜防止基板彎曲變形。
印刷電路板(PCB):
? 高密度互連(HDI):用于細線路(線寬/線距≤50μm),如智能手機主板,相比負性膠,正性膠可實現更精細的線路邊緣。
微納加工與科研:
? MEMS傳感器:制作微米級懸臂梁、齒輪等結構,需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹脂膠)。
? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發級納米圖案(分辨率<10nm)。
深圳正性光刻膠生產廠家