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泰晟供三菱htpvc 耐熱樹脂板材 半導體生產設備配件
半導體芯片的制造有以下幾個步驟：
1. 生長棒分為直拉法（CZ）和區熔法（FZ）：由于熔融多晶材料將直接接觸定時坩堝，定時坩堝中的雜質將污染熔融多晶材料。直拉法碳、氧含量高，雜質和缺陷多，但成本低，適用于大直徑（300mm）硅片的拉伸。是目前半導體硅片的主要材料。區熔法拉制的單晶由于多晶原料不與石英坩堝接觸，內部
缺陷少，碳、氧含量低，但價格昂貴，成本較高，適用于大功率設備和一些高精端產品。
2. 切片：拔出的單晶硅棒需去除頭尾料，然后滾磨成所需直徑，切成平邊或V型槽，再切成薄片硅片。現在采用的是金剛石線切割技術，該技術效率高，翹曲度大，硅片曲率好。一些異形件將被切割成一個內圓。
3. 研磨：切片后，需要用研磨的方法去除損壞的截面層，以保證硅片的表面質量，大約要去除50um。
4. 腐蝕：腐蝕是為了進一步去除切削和磨削造成的損傷層，為下一個拋光工藝做準備。腐蝕通常包括堿腐蝕和酸腐蝕。目前，由于生態環境保護的因素，大部分采用堿腐蝕。腐蝕去除量可達30—40μm，表面粗糙度也可達微米級。
5. 拋光：拋光是硅片生產中的一個重要工序。拋光是通過化學機械拋光（CMP）技術進一步提高硅片的表面質量，使其達到Ra<5A的通常生產要求。
6. 清洗和包裝：隨著集成電路的行寬越來越小，對提高顆粒度指標的要求也越來越高。清洗和封裝也是硅片生產過程中的一個重要工序。微波清洗能清潔并粘附在硅片表面的顆粒達到微芯片表面所要求的粒度指標，使硅片表面清潔度達到集成電路的要求。
目前的半導體材料都是單晶硅。半導體芯片的純度要求在9N以上（99.9999999%），區熔單晶硅極大值可達11N（99.9999999%）。晶體生長通常采用直拉法（CZ）和區熔法（FZ），晶體取向由晶種決定。半導體材料以單晶硅為主，占半導體材料市場的90%以上，是集成電路的基礎材料。
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