主要性能參數產品型號CTI-GlassCut皮秒激光器激光器波長1064 nm激光器脈寬10 ps平均峰值功率50W切割頭切割焦深5 mm**小光斑1-2 um切割精度±20 um崩邊<5 um切割速度100mm/s (3mm白玻璃)工作平臺參數平臺形式XY直線電機基座高精度大理石平臺加工范圍400×400 mm（可定制）定位精度±3 um重復定位精度±2 um比較大速度1000 mm/sCCD工業相機600W鏡頭遠心鏡頭系統屬性支持文件格式DXF等常規CAD格式環境要求溫度：20-30℃，濕度：<60%電力需求380V/50Hz/10KVA超快激光玻璃晶圓切割設備如何選擇？無錫超通智能告訴您。天津自制超快激光玻璃晶圓切割設備價格表

芯片制造的工藝復雜、流程眾多，而晶圓切割就是半導體封測工藝中不可或缺的一道工序，晶圓切割就是將單一晶圓進行切割制作成一個個晶粒單元，但由于晶粒本身比較脆弱、相互之間距離小，并且切割時還需要注意晶粒不被污染、避免出現崩塌或者裂痕現象，因此晶圓切割對于技術和切割設備的要求都極高。在晶圓切割過程中，通常要用到的一項精密切割設備就是晶圓切割機，晶圓切割機可使安裝在主軸上的砥石高速旋轉，從而切斷硅晶圓。近幾年，隨著激光技術的發展，激光切割機逐漸成為了芯片制作領域的研究熱點。由于激光切割為非接觸式加工過程，其不僅切割精度高、效率高，而且可以避免對晶體硅表面造成損傷，大幅提升芯片生產制造的質量和效率。北京制造超快激光玻璃晶圓切割設備價格表超快激光玻璃晶圓切割設備的廠家哪個好？無錫超通智能告訴您。

激光劃片是利用高能激光束照射工件表面，使被照射區域局部熔化、氣化，從而達到去除材料，實現劃片的過程。激光劃片是非接觸式加工，無機械應力損傷，加工方式靈活，不存在刀具損耗和水污染，設備使用維護成本低。為避免激光劃透晶圓時損傷支撐膜，采用耐高溫燒蝕的UV膜。目前，激光劃片設備采用工業激光器，波長主要有1064nm、532nm、355nm三種，脈寬為納秒、皮秒和飛秒級。理論上，激光波長越短、脈寬越短，加工熱效應越小，有利于微細精密加工，但成本相對較高。355nm的紫外納秒激光器因其技術成熟、成本低、加工熱效應小，應用非常***。近幾年1064nm的皮秒激光器技術發展迅速，應用到很多新領域，獲得了很好的效果。

超通智能自主研發超快激光玻璃晶圓切割設備，隨著市場的持續增長，LED制造業對于產能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術迅速成為LED制造業普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業標準。激光刻劃LED刻劃線條較傳統的機械刻劃窄得多，所以使得材料利用率顯著提高，因此提高產出效率。另外激光加工是非接觸式工藝，刻劃帶來晶圓微裂紋以及其他損傷更小，這就使得晶圓顆粒之間更緊密，產出效率高、產能高，同時成品LED器件的可靠性也**提高。超快激光玻璃晶圓切割設備的選材要求是什么？無錫超通智能告訴您。

晶圓精密劃片切割中，總會遇到各種情況，而**常見的就是工件的崩邊問題，崩邊包括：正崩，背崩，掉角及裂痕等。而有很多種不同因素都會導致崩邊的產生，比如工件表面情況、粘膜情況、冷卻水、刀片等。如何提高切割品質，盡可能減少崩邊產生對劃片機來說是至關重要的，超通智能針對這一行業狀況，也一直在不斷的摸索各種激光切割工藝，以提高切割品質并為客戶提供質量服務為己任。超通智能通過不斷開拓創新，提高劃片機切割不同材質的效率。晶圓精密劃片切割已有比較完善的解決方案。超快激光玻璃晶圓切割設備哪個性價比高？無錫超通智能告訴您。湖北自動化超快激光玻璃晶圓切割設備價錢

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晶圓是半導體產品與芯片的基礎材料，晶圓生長后需要經過機械拋光，后期尤為重要的是晶圓切割加工，也叫晶圓劃片。早期短脈沖DPSS激光器切割晶圓技術已經在歐洲、美國發展成熟。隨著超快激光器的快速發展和功率提升，超快激光切割晶圓未來將會逐漸成為主流，特別在晶圓切割、微鉆孔、封測等工序上，設備需求潛力較大。目前國內已經有精密激光設備廠家能夠提供晶圓開槽設備，可應用于28nm制程以下12寸晶圓的表面開槽，以及激光晶圓隱切設備應用于MEMS傳感器芯片，存儲芯片等**芯片制造領域。天津自制超快激光玻璃晶圓切割設備價格表

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