可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。江蘇優勢可控硅模塊哪里有賣的

陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅的分類一、按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。二、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。陜西哪里有可控硅模塊普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。

允許通過陰極和陽極的電流平均值。可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ。

改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。在使用過程中，晶閘管對過電壓是很敏感的。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當BG2的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG2將產生基極電流Ib2，經放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發”的，對可控硅來說，觸發信號加到控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠大于Ib2，足以保持BG2的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果E極性反接。額定通態電流（IT）即比較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。西藏國產可控硅模塊推薦廠家

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故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。可控硅原理主要用途編輯可控硅原理整流普通可控硅基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。江蘇優勢可控硅模塊哪里有賣的