MOSFET計算系統的散熱要求，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及較 大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大，一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料。張家港低壓N+PMOSFET

MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關（信號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關時，其源極與漏極的分別和其他的應用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓 負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓 正的一端是源極。MOSFET開關能傳輸的信號會受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致MOSFET燒毀。MOSFET開關的應用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設計，例如類比數位轉換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到MOSFET開關的蹤影。廈門MOSFET設計MOSFET尺寸不斷縮小，可以讓集成電路的效能大幅提升。

隨著MOSFET技術的不斷演進，現在的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓采用MOSFET實現模擬電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產成本。

雙重MOSFET（CMOS）開關為了改善前述單一MOSFET開關造成信號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關成為 普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同。當輸入電壓在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導通，而輸入小于（VSS+Vthp）時，只有NMOS導通，輸入大于（VDD-Vthn）時只有PMOS導通。這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導通，如果任一邊的導通電阻上升，則另一邊的導通電阻就會下降，所以開關的電阻幾乎可以保持定值，減少信號失真。MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統的多晶硅電阻。

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里 “metal”的 個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。在處理器中，多晶硅柵已經不是主流技術，從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始，柵極開始重新使用金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性。張家港低壓N管MOSFET型號

MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型。張家港低壓N+PMOSFET

MOSFET：隨半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本特立的類比芯片與數位芯片被整合至同一個芯片內。MOSFET原本在數位集成電路上就有很大的競爭優勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也明顯的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數位轉換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產品。張家港低壓N+PMOSFET

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