功率MOSFET的基本特性：漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。我們所說的MOSFET，指的是什么？無錫低壓MOSFET開關(guān)管

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里 “metal”的 個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術(shù)的進步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。在處理器中，多晶硅柵已經(jīng)不是主流技術(shù)，從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始，柵極開始重新使用金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。蘇州高壓N管MOSFET技術(shù)參數(shù)過去數(shù)十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。

MOSFET在數(shù)字電路上應用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們 主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負責驅(qū)動芯片外負載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如 常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應（loading effect）。模擬電路

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里表示“metal”的第1個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術(shù)的進步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS；

MOSFET的型號命名：場效應管通常有下列兩種命名方法。第1種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應管，第4部分用阿拉伯數(shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表示電極數(shù)；第二位用字母表示極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表示類型（其中J表示結(jié)型場效應管，O表示絕緣柵場效應管）。例如，3DJ6D是N溝道結(jié)型場效應三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場效應三極管。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料。西安MOSFET設(shè)計

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化。無錫低壓MOSFET開關(guān)管

MOSFET場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。無錫低壓MOSFET開關(guān)管

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