EMMI 技術(shù)基于半導(dǎo)體器件在工作時(shí)因電子 - 空穴復(fù)合產(chǎn)生的光子輻射現(xiàn)象，通過(guò)高靈敏度光學(xué)探測(cè)器捕捉微弱光子信號(hào)，能夠以皮安級(jí)電流精度定位漏電、短路等微觀缺陷。這種技術(shù)尤其適用于檢測(cè)芯片內(nèi)部的柵極氧化層缺陷、金屬導(dǎo)線短路等肉眼難以察覺(jué)的故障，為工程師提供精確的失效位置與成因分析。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）則聚焦于器件發(fā)熱與功能異常的關(guān)聯(lián)，利用紅外熱成像技術(shù)實(shí)時(shí)呈現(xiàn)半導(dǎo)體器件的熱分布。在高集成度芯片中，局部過(guò)熱可能引發(fā)性能下降甚至損壞，熱紅外顯微鏡通過(guò)捕捉0.1℃級(jí)別的溫度差異，可快速鎖定因功率損耗、散熱不良或設(shè)計(jì)缺陷導(dǎo)致的熱失效隱患。兩者結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了從電學(xué)故障到熱學(xué)異常的全維度失效診斷，極大提升了分析效率與準(zhǔn)確性。 熱紅外顯微鏡利用其高分辨率，觀察半導(dǎo)體制造過(guò)程中的熱工藝缺陷 。檢測(cè)用熱紅外顯微鏡方案

熱紅外顯微鏡與光學(xué)顯微鏡雖同屬微觀觀測(cè)工具，但在原理、功能與應(yīng)用場(chǎng)景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域各有側(cè)重。

從工作原理看，光學(xué)顯微鏡利用可見(jiàn)光（400-760nm 波長(zhǎng)）的反射或透射成像，通過(guò)放大樣品的物理形態(tài)（如結(jié)構(gòu)、顏色、紋理）呈現(xiàn)細(xì)節(jié)，其主要是捕捉 “可見(jiàn)形態(tài)特征”；而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長(zhǎng)的紅外熱輻射，通過(guò)檢測(cè)樣品自身發(fā)射的熱量差異生成熱分布圖，本質(zhì)是捕捉 “不可見(jiàn)的熱信號(hào)”。

在主要功能上，光學(xué)顯微鏡擅長(zhǎng)觀察樣品的表面形貌、結(jié)構(gòu)缺陷（如裂紋、變形），適合材料微觀結(jié)構(gòu)分析、生物樣本觀察等；熱紅外顯微鏡則專(zhuān)注于微觀熱行為解析，能識(shí)別因電路缺陷、材料熱導(dǎo)差異等產(chǎn)生的溫度異常，即使是納米級(jí)的微小熱點(diǎn)（如半導(dǎo)體芯片的漏電區(qū)域）也能精確捕捉，這是光學(xué)顯微鏡無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。

從適用場(chǎng)景來(lái)看，光學(xué)顯微鏡是通用型觀測(cè)工具，廣泛應(yīng)用于基礎(chǔ)科研、教學(xué)等領(lǐng)域；而熱紅外顯微鏡更偏向?qū)I(yè)細(xì)分場(chǎng)景，尤其在半導(dǎo)體失效分析中，可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發(fā)的熱異常，在新材料研發(fā)中能分析不同組分的熱傳導(dǎo)特性，為解決 “熱相關(guān)問(wèn)題” 提供關(guān)鍵依據(jù)。 鎖相熱紅外顯微鏡運(yùn)動(dòng)熱紅外顯微鏡結(jié)合自研算法，對(duì)微弱熱信號(hào)進(jìn)行定位分析，鎖定潛在缺陷 。

現(xiàn)市場(chǎng)呈現(xiàn) “國(guó)產(chǎn)崛起與進(jìn)口分野” 的競(jìng)爭(zhēng)格局。進(jìn)口品牌憑借早期技術(shù)積累，在市場(chǎng)仍占一定優(yōu)勢(shì)，國(guó)產(chǎn)廠商則依托本土化優(yōu)勢(shì)快速突圍，通過(guò)優(yōu)化供應(yīng)鏈、降低生產(chǎn)成本，在中低端市場(chǎng)形成強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，尤其在工業(yè)質(zhì)檢、電路板失效分析等場(chǎng)景中，憑借高性價(jià)比和快速響應(yīng)的服務(wù)搶占份額。同時(shí)，國(guó)內(nèi)企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入，在探測(cè)器靈敏度、成像分辨率等指標(biāo)上不斷追趕，部分中端產(chǎn)品可以做到超越國(guó)際水平，且在定制化解決方案上更貼合本土客戶需求，如針對(duì)大尺寸主板檢測(cè)優(yōu)化的機(jī)型。隨著國(guó)產(chǎn)技術(shù)成熟度提升，與進(jìn)口品牌的競(jìng)爭(zhēng)邊界不斷模糊，推動(dòng)整體市場(chǎng)向多元化、高性價(jià)比方向發(fā)展。

RTTLITP20 熱紅外顯微鏡憑借多元光學(xué)物鏡配置，構(gòu)建從宏觀到納米級(jí)的全尺度熱分析能力，靈活適配多樣檢測(cè)需求。Micro廣角鏡頭可快速覆蓋大尺寸樣品整體熱分布，如整塊電路板、大型模組的散熱趨勢(shì)，高效完成初步篩查；0.13~0.3x變焦鏡頭通過(guò)連續(xù)倍率調(diào)節(jié)，適配芯片封裝體、傳感器陣列等中等尺度器件熱分析，兼顧整體熱場(chǎng)與局部細(xì)節(jié)；0.65X～0.75X變焦鏡頭提升分辨率，解析芯片內(nèi)部功能單元熱交互，助力定位封裝散熱瓶頸；3x～4x變焦鏡頭深入微米級(jí)結(jié)構(gòu)，呈現(xiàn)晶體管陣列、引線鍵合點(diǎn)等細(xì)微部位熱分布；8X～13X變焦鏡頭聚焦納米尺度，捕捉微小短路點(diǎn)、漏電流區(qū)域等納米級(jí)熱點(diǎn)的微弱熱信號(hào)，滿足先進(jìn)制程半導(dǎo)體高精度分析需求。

多段變焦與固定倍率結(jié)合的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)宏觀到微觀熱分析平滑切換，無(wú)需頻繁更換配件，大幅提升半導(dǎo)體失效分析、新材料熱特性研究等領(lǐng)域的檢測(cè)效率與精細(xì)度。 國(guó)產(chǎn)熱紅外顯微鏡憑借自主研發(fā)軟件，具備時(shí)域重構(gòu)等功能，提升檢測(cè)效率。

致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號(hào)調(diào)制技術(shù)上的優(yōu)化升級(jí)，以多頻率調(diào)制為突破點(diǎn)，構(gòu)建了更精細(xì)的微觀熱信號(hào)解析體系。其通過(guò)精密算法控制電信號(hào)的頻率切換與幅度調(diào)節(jié)，使不同深度、不同材質(zhì)的樣品區(qū)域產(chǎn)生差異化熱響應(yīng) —— 高頻信號(hào)可捕捉表層微米級(jí)熱點(diǎn)，低頻信號(hào)則能穿透材料識(shí)別內(nèi)部隱性感熱缺陷，形成多維度熱特征圖譜。

這種動(dòng)態(tài)調(diào)制方式，不僅將特征分辨率提升至納米級(jí)，更通過(guò)頻率匹配過(guò)濾環(huán)境噪聲與背景干擾，使檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)單頻調(diào)制提高 3-5 倍，即使是 0.1mK 的微小溫度波動(dòng)也能被捕捉。 熱紅外顯微鏡通過(guò)熱成像技術(shù)，快速定位 PCB 板上的短路熱點(diǎn) 。國(guó)內(nèi)熱紅外顯微鏡成像

熱紅外顯微鏡憑借高靈敏度探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)芯片微米級(jí)紅外熱分布觀察，鎖定異常熱點(diǎn) 。檢測(cè)用熱紅外顯微鏡方案

RTTLIT P10 熱紅外顯微鏡在光學(xué)配置上的靈活性，可通過(guò)多種可選物鏡得以充分體現(xiàn)，為不同尺度、不同場(chǎng)景的熱分析需求提供精細(xì)適配。

Micro 廣角鏡頭擅長(zhǎng)捕捉大視野范圍的整體熱分布，適合快速定位樣品宏觀熱異常區(qū)域，如整片晶圓的整體散熱趨勢(shì)觀測(cè)；0.2X 鏡頭在保持一定視野的同時(shí)提升細(xì)節(jié)捕捉能力，可用于中等尺寸器件（如傳感器模組）的熱行為分析，平衡效率與精度；0.4X 鏡頭進(jìn)一步聚焦局部，能清晰呈現(xiàn)芯片封裝級(jí)的熱分布特征，助力排查封裝缺陷導(dǎo)致的散熱不均問(wèn)題；1X 與 3X 鏡頭則聚焦微觀尺度，1X 鏡頭可解析芯片內(nèi)部功能模塊的熱交互，3X 鏡頭更是能深入到微米級(jí)結(jié)構(gòu)（如晶體管陣列、引線鍵合點(diǎn)），捕捉納米級(jí)熱點(diǎn)的細(xì)微溫度波動(dòng)。

檢測(cè)用熱紅外顯微鏡方案

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