在半導體行業飛速發展的現在，芯片集成度不斷提升，器件結構日益復雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統檢測設備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉，導致許多隱性缺陷成為 “漏網之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發實力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統創造性地集成一體，推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測設備（搭載自主研發的 RTTLIT （實時瞬態鎖相紅外系統），為半導體的失效分析提供了全新的技術范式。

鎖相熱成像系統提升電激勵檢測的缺陷識別率。國內鎖相紅外熱成像系統哪家好

性能參數的突破更凸顯技術實力。RTTLIT P20 的測溫靈敏度達 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動，相當于能檢測到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識別芯片內部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達到微米級，可清晰呈現芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測器，卻通過算法優化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過熱等檢測場景中，既能滿足精度需求，又具備更高的性價比。此外，設備的一體化設計將可見光、熱紅外、微光三大成像模塊集成，配合自動化工作臺的精細控制，實現了 “一鍵切換檢測模式”“雙面觀測無死角” 等便捷操作，大幅降低了操作復雜度。什么是鎖相紅外熱成像系統圖像分析電激勵作為一種能量輸入方式，能激發物體內部熱分布變化，為鎖相熱成像系統捕捉細微溫差提供熱源基礎。

OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統（即PEM系統）中，其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，主要用于精細定位電子設備中的熱點區域，這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優化措施。鎖相熱成像系統借電激勵，捕捉細微溫度變化辨故障。

先進的封裝應用、復雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰。有缺陷或性能不佳的半導體器件通常表現出局部功率損耗的異常分布，導致局部溫度升高。RTTLIT系統利用鎖相紅外熱成像進行半導體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目標區域。LIT是一種動態紅外熱成像形式，與穩態熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環境中進行，無需光屏蔽箱。鎖相熱成像系統優化電激勵檢測的圖像處理。廠家鎖相紅外熱成像系統P10

鎖相熱成像系統解析電激勵產生的溫度場信息。國內鎖相紅外熱成像系統哪家好

致晟光電在推動產學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注開發基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯合攻克技術難題，不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統（RTTLIT），使該系統溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數優于進口設備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關系，搭建起學業-就業貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業人才，為企業持續創新注入活力。通過建立科研成果產業孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力，實現了高校科研資源與企業市場轉化能力的優勢互補。國內鎖相紅外熱成像系統哪家好