OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過(guò)光子檢測(cè)手段來(lái)精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來(lái)識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類(lèi)缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開(kāi)封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問(wèn)題。紅外熱成像模塊功能是實(shí)時(shí)采集被測(cè)物體表面的紅外輻射信號(hào)，轉(zhuǎn)化為隨時(shí)間變化的溫度分布圖像序列。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比

致晟光電的一體化檢測(cè)設(shè)備，不僅是技術(shù)的集成，更是對(duì)半導(dǎo)體失效分析邏輯的重構(gòu)。它讓 “微觀觀測(cè)” 與 “微弱信號(hào)檢測(cè)” 不再是選擇題，而是能同時(shí)實(shí)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)配置。在國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，這類(lèi)自主研發(fā)的失效分析檢測(cè)設(shè)備，正逐步打破國(guó)外品牌在半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的設(shè)備支撐。未來(lái)隨著第三代半導(dǎo)體、Micro LED 等新興領(lǐng)域的崛起，對(duì)失效分析的要求將進(jìn)一步提升，而致晟光電的技術(shù)探索，無(wú)疑為行業(yè)提供了可借鑒的創(chuàng)新路徑。顯微紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)規(guī)格尺寸本系統(tǒng)對(duì)鎖相處理后的振幅和相位數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，生成振幅熱圖和相位熱圖，并通過(guò)算法定位異常區(qū)域。

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯(cuò)、微裂紋等缺陷，會(huì)導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料施加電激勵(lì)，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電流，缺陷處由于導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的異常，會(huì)產(chǎn)生局部的溫度差異。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠敏銳地檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估材料的質(zhì)量狀況。例如，在檢測(cè)硅晶圓時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)晶圓表面的摻雜不均區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響后續(xù)芯片制造的光刻和刻蝕工藝；在檢測(cè)碳化硅材料時(shí)，能夠識(shí)別出材料內(nèi)部的微裂紋，這些裂紋會(huì)導(dǎo)致器件在高壓工作時(shí)發(fā)生擊穿。檢測(cè)結(jié)果為半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)提供了詳細(xì)的質(zhì)量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化材料生長(zhǎng)工藝，提升電子產(chǎn)業(yè)上游材料的品質(zhì)。

蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的RTTLIT （實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)），該技術(shù)的溫度靈敏度極高，部分型號(hào)甚至可達(dá) 0.0001℃，功率檢測(cè)限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號(hào)變化，哪怕是芯片內(nèi)部極為微小的漏電或局部發(fā)熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測(cè)能力在半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路等對(duì)精度要求極高的領(lǐng)域中具有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)，能夠幫助工程師快速、準(zhǔn)確地定位故障點(diǎn)，較大程度上的縮短了產(chǎn)品研發(fā)和故障排查的時(shí)間。系統(tǒng)的邏輯是通過(guò) “周期性激勵(lì) - 熱響應(yīng) - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程，將內(nèi)部結(jié)構(gòu)差異轉(zhuǎn)化為熱圖像特征。

在電子行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)為芯片檢測(cè)帶來(lái)了巨大的變革。芯片結(jié)構(gòu)精密復(fù)雜，傳統(tǒng)的檢測(cè)方法不僅效率低下，還可能對(duì)芯片造成損傷。而鎖相熱成像系統(tǒng)通過(guò)對(duì)芯片施加周期性的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部因故障產(chǎn)生的微小溫度變化得以顯現(xiàn)，系統(tǒng)能夠敏銳捕捉到這些變化，進(jìn)而定位電路中的短路、虛焊等故障點(diǎn)。其非接觸式的檢測(cè)方式，從根本上避免了對(duì)精密電子元件的損傷，同時(shí)提升了芯片質(zhì)檢的效率與準(zhǔn)確性。在芯片生產(chǎn)的大規(guī)模質(zhì)檢中，它能夠快速篩選出不合格產(chǎn)品，為電子行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支持。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵(lì)檢測(cè)數(shù)據(jù)更可靠。半導(dǎo)體失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)

在復(fù)合材料檢測(cè)中，電激勵(lì)能使缺陷區(qū)域產(chǎn)生獨(dú)特?zé)犴憫?yīng)，鎖相熱成像系統(tǒng)可將這種響應(yīng)轉(zhuǎn)化為清晰的缺陷圖像。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比

這款一體化設(shè)備的核心競(jìng)爭(zhēng)力，在于打破了兩種技術(shù)的應(yīng)用邊界。熱紅外顯微鏡擅長(zhǎng)微觀尺度的熱分布成像，能通過(guò)高倍率光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片表面微米級(jí)的溫度差異；鎖相紅外熱成像系統(tǒng)則依托鎖相技術(shù)，可從環(huán)境噪聲中提取微弱的周期性熱信號(hào)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)缺陷的精細(xì)定位。致晟光電通過(guò)硬件集成與算法優(yōu)化，讓兩者形成 “1+1＞2” 的協(xié)同效應(yīng) —— 既保留熱紅外顯微鏡的微觀觀測(cè)能力，又賦予其鎖相技術(shù)的微弱信號(hào)檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，無(wú)需在兩種設(shè)備間切換即可完成從宏觀掃描到微觀定位的全流程分析。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比