先進的封裝應用、復雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰。有缺陷或性能不佳的半導體器件通常表現出局部功率損耗的異常分布，導致局部溫度升高。RTTLIT系統利用鎖相紅外熱成像進行半導體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目標區域。LIT是一種動態紅外熱成像形式，與穩態熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環境中進行，無需光屏蔽箱。電激勵模塊是通過源表向被測物體施加周期性方波電信號，通過焦耳效應使物體產生周期性的溫度波動。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統工作原理

鎖相熱成像系統的電激勵方式在電子產業的多層電路板檢測中優勢明顯，為多層電路板的生產質量控制提供了高效解決方案。多層電路板由多個導電層和絕緣層交替疊加而成，層間通過過孔實現電氣連接，結構復雜，在生產過程中容易出現層間短路、盲孔堵塞、絕緣層破損等缺陷。這些缺陷會導致電路板的電氣性能下降，甚至引發短路故障。電激勵能夠通過不同層的線路施加電流，使電流在各層之間流動，缺陷處會因電流分布異常而產生溫度變化。鎖相熱成像系統可以通過檢測層間的溫度變化，精細定位缺陷的位置和類型。例如，檢測層間短路時，系統會發現短路點處的溫度明顯高于周圍區域；檢測盲孔堵塞時，會發現對應位置的溫度分布異常。與傳統的 X 射線檢測相比，該系統的檢測速度更快，成本更低，而且能夠直觀地顯示缺陷的位置，助力多層電路板生產企業提高質量控制水平。長波鎖相紅外熱成像系統功能系統的邏輯是通過 “周期性激勵 - 熱響應 - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程，將內部結構差異轉化為熱圖像特征。

OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統（即PEM系統）中，其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。

電子產業的功率器件檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統發揮著至關重要的作用，為功率器件的安全可靠運行提供了有力保障。功率器件如 IGBT、MOSFET 等，在工作過程中需要承受大電流、高電壓，功耗較大，容易因內部缺陷而產生過熱現象，進而導致器件損壞，甚至引發整個電子系統的故障。通過施加接近實際工況的電激勵，鎖相熱成像系統能夠模擬功率器件的真實工作狀態，實時檢測器件表面的溫度分布。系統可以發現芯片內部的熱斑、柵極缺陷、導通電阻異常等問題，這些問題往往是功率器件失效的前兆。檢測獲得的溫度分布數據還能為功率器件的設計和生產提供重要參考，幫助工程師優化器件的結構設計和制造工藝，提高產品的可靠性。例如，在新能源汽車的電機控制器功率器件檢測中，該系統能夠檢測出器件內部的微小熱斑，提前預警潛在故障，保障新能源汽車的行駛安全。鎖相熱紅外電激勵成像主動加熱，適用于定量和深層缺陷檢測，被動式檢測物體自身溫度變化，用于定性檢測。

當電子設備中的某個元件發生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯激光器等先進技術，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測與分析，熱紅外顯微鏡能夠將電子設備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現，直觀展現熱點區域的位置、尺寸及溫度變化趨勢，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點，實現高效可靠的故障排查。紅外熱成像模塊功能是實時采集被測物體表面的紅外輻射信號，轉化為隨時間變化的溫度分布圖像序列。國產鎖相紅外熱成像系統訂制價格

電激勵與鎖相熱成像系統，推動無損檢測發展。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統工作原理

致晟光電的一體化檢測設備，不僅是技術的集成，更是對半導體失效分析邏輯的重構。它讓 “微觀觀測” 與 “微弱信號檢測” 不再是選擇題，而是能同時實現的標準配置。在國產替代加速推進的背景下，這類自主研發的失效分析檢測設備，正逐步打破國外品牌在半導體檢測領域的技術壟斷，為我國半導體產業的高質量發展提供堅實的設備支撐。未來隨著第三代半導體、Micro LED 等新興領域的崛起，對失效分析的要求將進一步提升，而致晟光電的技術探索，無疑為行業提供了可借鑒的創新路徑。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統工作原理