在科學實驗中， 產生強磁場的磁體實際是一個大電感線圈，由大容量的電源系 統瞬時放電， 通過給磁體提供瞬間的大電流，在磁體中產生響應的強磁場。實驗中磁體可以等效為電阻Rm和大電感Lm串聯，產生的磁場強度和通過電感的電流時呈線性關系的，要想得到高穩定度的脈沖平頂磁場，我們相應的給磁體提供脈沖平頂的大電流。然而上述只是建立在理想的物理模型上得到的理想結果。在工程實踐中， 提供 給磁體的大電流實際是給磁體提供一個脈沖式高穩定度的直流電壓。有兩種方法可以將敏感元件的電阻轉換為電壓。蘇州磁調制電壓傳感器廠家供應

基于以上對移相全橋原理上的分析，本章就主電路的前端整流濾波電路、移相全橋逆變環節、輸出端整流電路和濾波電路進行參數設計。在進行所有參數計算前，我們對從電網所取的電以及初步整流后的電能參數進行計算，為后續計算做準備。一般可以采用下述經驗算法：輸入電網交流電時，若采用單相整流，整流濾波后的直流電壓的脈動值VPP是比較低輸入交流電峰值的20%~25%，這里取值VPP=20%Vin。我們提供給后續變換電路的電源是從電網中取電，如此就涉及到輸入整流環節。整流電路是直接購置整流橋，進行兩相整流。參數計算即是前端儲能濾波電容的參數設計。常州化成分容電壓傳感器出廠價電阻分壓式由于沒有諧振問題，性能優于電容式。

為移相全橋逆變部分的 Simulink 仿真電路。負載等效至原邊用等值電阻代替，仿真主要調節諧振電容和諧振電感的參數，以滿足所有開關管的零開通和軟關斷。依次為開關管驅動波形、橋臂上電壓波形和橋臂上電流波形。其中驅動波形中從低到高分別為開關管1、2、3、4的驅動波形（四個驅動的幅值有差別只為了便于分辨，實際驅動效果是相同的）。同一橋臂上兩開關管驅動有4μS的死區時間，滯后橋臂相對于超前橋臂的滯后時間為12.5μS。橋臂上是串聯的3a電阻和100μH電感，如果不存在移相，則橋臂上的電壓應該是*有死區時間是0。由于移相角的存在，電壓占空比進一步減小，減小的程度對應是移相角的大小。

諧振電感參數確定后即是實物的設計，同上一小節中高頻變壓器的設計類似，諧振電感的設計也是首先選擇磁芯，然后根據氣隙的大小計算繞組匝數，根據流通的電流有效值確定線徑，***核算窗口的面積。如果上述驗證無誤即可進行繞制。為了實現移相全橋變換器的超前橋臂和滯后橋臂上開關管的軟開關，必須根據直流變換器的開關管死區時間和開關頻率來確定全橋變換器的超前橋臂和滯后橋臂上的諧振電容。前面已經講過，超前橋臂和滯后橋臂上的開關管的零電壓開通條件是不同的，所以必須分開計算。其他的可以產生幅度調制、脈沖寬度調制或頻率調制輸出。

對于前端儲能電容還需要考慮的參數是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導體器件為基礎的。我們在設計電路時，也有很多可供選擇的電力半導體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點以及**適合應用場合。例如MOSFET開關頻率高，動態響應速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關斷晶閘管具有自關斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實驗中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關管。這就是電容器的工作原理。無錫高精度電壓傳感器廠家供應

基于電光效應，在電場或電壓的作用下透過某些物質的光會發生雙折射。蘇州磁調制電壓傳感器廠家供應

本項目逆變橋臂上有4個開關管，對應需要四個**的驅動電路。可選用的驅動電路有很多種，以驅動電路和IGBT的連接方式可以將驅動電路分為直接驅動、隔離驅動和集成化驅動。在此我們采用集成化驅動，因為相對于分立元件構成的驅動電路，集成化驅動電路集成度更高、速度快、抗干擾強、有保護功能模塊，并且也減小了設計的難度[25]。**終選用集成驅動電路M57962，如圖4-3和4-4所示為M57962L驅動電路和驅動信號放大效果圖。M57962 是 N 溝道大功率 IGBT 驅動電路，可以驅動 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器實現電氣隔離，輸入輸出隔離電壓高達 2500V。蘇州磁調制電壓傳感器廠家供應